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5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 è un tiristore a commutazione di gate (IGCT) integrato di ABB, appartenente alla serie 5SHY.

L'IGCT è un nuovo tipo di dispositivo elettronico apparso alla fine degli anni '90.

Combina i vantaggi dell'IGBT (transistor bipolare a gate isolato) e del GTO (tiristore a gate spento) e presenta le caratteristiche di elevata velocità di commutazione, grande capacità e grande potenza di pilotaggio richiesta.

Nello specifico, la capacità di 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 è equivalente a quella di GTO, ma la sua velocità di commutazione è 10 volte più veloce di quella di GTO, il che significa che può completare l'azione di commutazione in un tempo più breve e quindi migliorare l'efficienza di conversione di potenza.

Inoltre, rispetto al GTO, l'IGCT consente di risparmiare l'enorme e complicato circuito snubber, contribuendo a semplificare la progettazione del sistema e a ridurre i costi.

Tuttavia, occorre sottolineare che, nonostante i numerosi vantaggi dell'IGCT, la potenza motrice richiesta è ancora elevata.

Ciò potrebbe aumentare il consumo energetico e la complessità del sistema. Inoltre, sebbene l'IGCT stia cercando di sostituire il GTO nelle applicazioni ad alta potenza, deve ancora affrontare una forte concorrenza da parte di altri nuovi dispositivi (come l'IGBT).

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistor a commutazione di gate integrato | Il GCT (Transistor a commutazione di gate integrato) è un nuovo dispositivo semiconduttore di potenza utilizzato in apparecchiature elettroniche di potenza di grandi dimensioni, lanciato nel 1996.

IGCT è un nuovo dispositivo di commutazione a semiconduttore ad alta potenza basato sulla struttura GTO, che utilizza una struttura di gate integrata per il gate del disco rigido, utilizzando una struttura di strato intermedio del buffer e una tecnologia di emettitore trasparente dell'anodo, con le caratteristiche di stato attivo del tiristore e le caratteristiche di commutazione del transistor.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 utilizza una struttura buffer e una tecnologia di emissione poco profonda, che riduce la perdita dinamica di circa il 50%.

Inoltre, questo tipo di apparecchiatura integra anche un diodo di libera circolazione con buone caratteristiche dinamiche su un chip e realizza quindi la combinazione organica di bassa caduta di tensione in stato attivo, elevata tensione di blocco e caratteristiche di commutazione stabili del tiristore in un modo unico.